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El Arancel Integrado de Aplicación (TARIC) fue adaptado completamente, por última vez por Resolución de 5 de Diciembre de 2002 (Boletín Oficial del Estado del 24 de Diciembre de 2002) y parcialmente por la Resolución de 17 de diciembre de 2002 (BOE de 17 de enero de 2003), Resolución de 22 de enero de 2003 (BOE de 7 de febrero de 2003), Resolución de 24 de febrero de 2003 (BOE de 6 de marzo de 2003) y en último lugar por la Resolución de 22 de abril de 2003 (BOE de 6 de mayo de 2003). Habiéndose producido desde esta última, la publicación de diferente normativa

comunitaria que supone la variación sobre la actual codificación, se hace necesaria la adaptación de la estructura y codificación del TARIC, sustituyendo los códigos afectados.

Basándose en lo anterior, se acuerda lo siguiente:

Primero.-Actualizar la nomenclatura y codificación del Arancel Integrado de Aplicación (TARIC), reemplazándose los textos de las partidas afectadas por los incluidos como anexo A, y aplicables desde el 16 de mayo de 2003.

Segundo.-Incluir como anexo B, los códigos TARIC que se suprimen a partir del 16 de mayo de 2003.

Tercero.-Actualizar la relación de Códigos Adicionales según los contenidos en el anexo C y aplicables a partir del 16 de mayo de 2003.

Cuarto.-La presente actualización será aplicable desde el 16 de mayo de 2003.

Lo que se dispone para su conocimiento y efectos.

Madrid, 12 de mayo de 2003.-El Director del Departamento, Nicolás Bonilla Penvela.

ANEXO A:

(VER IMÁGENES, PÁGINAS 19497 A 19498)

Altas de nomenclatura

Codificación Designación de las mercancías US Observaciones

8473.30.10.10 DRAMs (memorias dinámicas de acceso aleatorio), fabricados utilizando variedades del proceso tecnológico llamado semiconductores de óxido metálico (Metal Oxide-Semiconductors, "MOS", incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS).

Imp. PRO-IQ.

Exp. PRX-IQ (TM490).

8473.30.10.90 Los demás. Imp. PRO-IQ.

Exp. PRX-IQ (TM490).

8473.50.10.10 DRAMs (memorias dinámicas de acceso aleatorio), fabricados utilizando variedades del proceso tecnológico llamado semiconductores de óxido metálico (Metal Oxide-Semiconductors, "MOS", incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS).

Imp. PRO-IQ.

Exp. PRX-IQ (TM490).

8473.50.10.90 Los demás. Imp. PRO-IQ.

Exp. PRX-IQ (TM490).

8542.21.01.10 Memoria dinámica de lectura-escritura de acceso aleatorio (D-RAMs).

UN Imp. PRO-IQ.

Exp. PRX-IQ (TM490).

8542.21.01.90 Los demás. UN Imp. PRO-IQ.

Exp. PRX-IQ (TM490).

8542.21.05.10 Memoria dinámica de lectura-escritura de acceso aleatorio (D-RAMs).

UN Imp. PRO-IQ.

Exp. PRX-IQ (TM490).

8542.21.05.90 Los demás. UN Imp. PRO-IQ.

Exp. PRX-IQ (TM490).

8548.90.10.10 Densidades y variedades, tanto en forma de disco como de pastilla, fabricados utilizando variedades del proceso tecnológico llamado semiconductores de óxido metálico (Metal Oxide-Semiconductors, "MOS", incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS).

Imp. PRO-IQ.

Exp. PRX-IQ (TM490).

8548.90.10.90 Los demás. Imp. PRO-IQ.

Exp. PRX-IQ (TM490).

ANEXO B

Bajas de nomenclatura

Descripción

8473.30.10.00 8473.50.10.00 8542.21.01.00 8542.21.05.00 8548.90.10.00

ANEXO C

Altas de códigos adicionales

CD adicional Descripción

A437 KR-Corea (Repúblic) 8473.30.10.10 8473.50.10.10 8542.21.01.10 8542.21.05.10 8542.21.11.00 8542.21.13.00 8542.21.15.00 8542.21.17.00 8548.90.10.10

Samsung Electronics Co., LtdRPT24th Fl., Samsung Main Bldg.

RPT250, 2-Ga, Taepyeong-RoRPTJung-Gu, Seoul.

A443 CN-China 8714.91.10.19 8714.91.30.19 8714.93.90.90 8714.94.30.90 8714.94.90.19 8714.96.30.90 8714.99.10.90 8714.99.50.90 8714.99.90.19

Derecho anti-dumping suspendido para las siguientes partes bajo examen: Desde el 09.04.2003: RPTPRINCIPIA A/SRPT Frederik Raschs Vej 15RPT 9400 N.orresundby, RPT DA.

A999 KR-Corea (Repúblic) 8473.30.10.10 8473.50.10.10 8542.21.01.10 8542.21.05.10 8542.21.11.00 8542.21.13.00 8542.21.15.00 8542.21.17.00 8548.90.10.10

Las demás.